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IXTR 30N25
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
ISOPLUS 247 OUTLINE
g fs
V DS = 10 V; I D = I T
Notes 2, 3
24
32
S
C iss
3950
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 30A
R G = 3.6 ? (External), Notes 2, 3
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
Notes 2, 3
510
177
19
19
79
17
136
32
52
0.15
0.75
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive; Note 1
I F = I S , V GS = 0 V, Notes 2, 3
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
min.
typ.
300
3.0
max.
30
120
1.5
A
A
V
ns
μ C
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3. I T = 15A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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IXTR40P50P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR48P20P 功能描述:MOSFET -30.0 Amps -200V 0.093 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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